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| Lugar de origem: | Xi'an Shaanxi China |
| Marca: | XINLAND |
| Certificação: | CE |
| Número do modelo: | XL-650LD100 |
■Especificações
Comprimento de onda: 650nm
Saídas de luz: 5mW CW
Tipo do pacote: TO-18 (Φ5.6mm)
Poder a rendimento elevado: 230mW (pulso
Eficiência elevada: 0.95W/A (tipo.)
Luz visível: 658nm (tipo.)
Baixo prolongamento (⊥ do θ/θ //): 1,8 (tipo.)
Baixa distância astigmática: 1µm (tipo.)
■Avaliações máximas de um bsolute (Tc=25℃)
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Parâmetro |
Símbolos |
Avaliações |
Unidades |
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Saída ótica |
Po (CW) |
5 |
mW |
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Reverso Tensão |
Laser |
Vr |
2 |
V |
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PALÁDIO DO PIN |
Vr (PIN) |
30 |
V |
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Temperatura de funcionamento |
Parte superior |
-10 ~ +40 |
℃ |
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Temperatura de armazenamento |
Tstg |
-40 ~ +80 |
℃ |
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XL-650LD100 é um AlGaInP de alta potência, alto-eficiente
laser do semicondutor que fornece um estável, único
oscilação do modo transversal com comprimento de onda da emissão de
658nm e saídas de luz padrão do pulso de 230mW.
XL-650LD100 tem um real-índice-medidor de ondas que melhore
eficiência da inclinação (redução da corrente de funcionamento) e
distância astigmática.
XL-650LD100 tem uma janela-espelho-faceta que melhore
o máximo potência de saída. Isso conduz a altamente confiável e
operação de alta potência em 75 °C.
■Características elétricas e óticas (Tc=25℃)
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Parâmetro |
Símbolos |
Circunstâncias |
Minuto |
Tipo |
Máximo |
Unidades |
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Corrente do ponto inicial |
Ith |
- |
- |
12 |
16 |
miliampère |
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Atual de funcionamento |
Processador de entrada/saída |
Po=5mW |
- |
18 |
22 |
miliampère |
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Tensão de funcionamento |
Vop |
Po=5mW |
- |
2,3 |
2,6 |
Volts |
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Eficiência da inclinação |
η |
- |
0,6 |
0,8 |
1,0 |
mW/mA |
|
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Corrente do monitor |
Im |
Po=5mW |
0,09 |
0,16 |
0,3 |
miliampère |
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Divergência do feixe (FWHM) |
Paralelo |
‖ do θ |
Po=5mW |
6 |
7 |
9 |
grau |
|
Perpendicular |
θ⊥ |
Po=5mW |
25 |
28 |
30 |
grau |
|
|
Ângulo de desvio paralelo |
△‖ do θ |
Po=5mW |
-3 |
- |
3 |
grau |
|
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Ângulo de desvio perpendicular |
△θ⊥ |
Po=5mW |
-3 |
- |
3 |
grau |
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|
Precisão do ponto da emissão |
△X, △Y, △Z |
Po=5mW |
-80 |
- |
80 |
um |
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Comprimento de onda de Lasing |
λp |
Po=5mW |
645 |
655 |
665 |
nanômetro |
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